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971.
972.
方宏 《电脑编程技巧与维护》2014,(10):13+28-13
在互联网时代,各行业需要在"商业模式"和"体验"方面的创新,这使得IT变成了核心引擎,需要新的IT基础架构。 相似文献
973.
改型设计了改性超高相对分子质量聚乙烯的挤出中空吹塑设备,设计采用了专用的挤出螺杆、机筒、模头和模具,并研究改进了吹塑工艺及生产方法,从而克服了超高相对分子质量聚乙烯的加工难点,得到了合格的吹塑制品。 相似文献
974.
应红 《电脑编程技巧与维护》2014,(18):23-23
通过实例,详细讲解用Word的窗体工具建立表单,以解决行政部门制作电子文档的空白表格时,让填写的人员方便、快捷地填写内容,又不随意修改(破坏)原有格式和原文。 相似文献
975.
976.
977.
Three-dimensionally ordered long-range macroporous carbon structures were prepared using commercially available phenolic resin
by utilizing sacrificial colloidal silica crystalline arrays as templates that were subsequently removed by HF etching after
pyrolysis in an argon atmosphere. SEM, TEM, and BET were employed to characterize the morphology and the surface area of the
porous carbon structures. The pore size (150–1000 nm) and BET surface area, which reflect pore volume (298.6 m2/g (1.32 cm3/g) ∼ 93.7 m2/g (0.12 cm3/g)), of the macroporous carbon structures produced were approximately proportional to the size (150–1000 nm) of the sacrificial
silica sphere templates used (annealing temp. 550°C). The achieved 550 nm porous carbon structures were examined to function
as potential catalyst carriers and were successfully impregnated with Ag or Pt-Ru on their inner walls after borohydride reduction
at room temperature. In addition, porous carbon patterns were fabricated using the ‘micromolding in capillary’ technique,
which has potential applications in the microreaction technology. 相似文献
978.
鉴于SAR原始数据量大以及数据传输速率限制的问题,设计了基于PXI的雷达回波和图像数据实时记录模块。大容量数据采集记录系统基于通用的商业PC平台设计,选用FPGA作为主控芯片对电路整体逻辑进行控制;利用LVDS作为数据传输接口对数据进行接收,实现了数据采集、缓存以及通过PXI总线上传至上位机硬盘,以便后续处理。文中介绍了系统方案的总体设计,以及采集存储硬件电路的设计,并对电路的关键技术给以详细的分析。 相似文献
979.
通过对大庆石化公司炼油厂延迟焦化装置炉-1辐射管爆管现象进行诊断分析,找出了发生爆管的3个原因,管材质量,炉管内存有未烧净的焦子,加工的原料发生变化,并逐个进行分析,提出了保证加热炉长周期平稳生产的措施。 相似文献
980.
The concept and design of a new chemical vapor deposition (CVD) reactor is presented for both epitaxial and nonepitaxial film
deposition in semiconductor processing. The reactor is designed in such a way that a stagnant semiconductor source fluid of
uniform concentration is provided for the film deposition without causing free or forced convection. The supply of the source
gas for the deposition is by diffusion through a porous material such as quartz or graphite. Compared to the low pressure
CVD (LPCVD) reactor with mounted wafer configuration, the new reactor should give a better film thickness uniformity and about
an order of magnitude reduction in the amount of the source gas required. Further, at least for polycrystalline silicon deposition,
the deposition rate can be much higher than is currently practiced with the LPCVD reactor. Design equations for the reactor
are given. Details on the design for the polycrystalline silicon deposition are also given. 相似文献